除前端電子設(shè)備外，密封的HV濾波器和電荷靈敏的混合前置放大器電路都是位于PopTop封裝內(nèi)輻射探測(cè)器組件的后面。它們位于真空室外，處于室溫下。



HV濾波器的長時(shí)間常數(shù)可確保將電壓逐漸施加到輻射探測(cè)器上。這可以保護(hù)FET免受電壓尖峰的影響。冷態(tài)時(shí)，ORTEC的任何新型HPGe輻射探測(cè)器都可以接通全偏置電壓，而不會(huì)有損壞FET的風(fēng)險(xiǎn)。

關(guān)于輻射探測(cè)器前置放大器的一些額外說明：所有前置放大器都為“電荷靈敏”型，都具有低溫冷卻的“前端”，以實(shí)現(xiàn)的電子噪聲和出色的能量分辨率。使用了三種不同的反饋機(jī)制：br />

1. 和見的是“電阻反饋”（參見前端電子設(shè)備）。在這種情況下，反饋電路包含并聯(lián)的電阻器和電容器。
2. 對(duì)于高計(jì)數(shù)率（>75 kcps）下的同軸輻射探測(cè)器，反饋電路用結(jié)型晶體管取代反饋電阻，當(dāng)輸入FET柵極電壓超過某一閾值電壓時(shí)，將接通結(jié)型晶體管。這將輸入FET柵極電壓重置為零。這種類型的前置放大器稱為晶體管復(fù)位前置放大器（TRP）。
3. 對(duì)于小型輻射探測(cè)器，電子設(shè)備的分辨率低于50 keV，反饋電路包含一個(gè)LED，它通過類似于TRP的機(jī)制使用光（非電子開關(guān)）將輸入FET柵極的電壓重置為零。這種前置放大器[可通過特殊訂單訂購的脈沖光學(xué)反饋（POF）]可實(shí)現(xiàn)超低噪聲性能，因?yàn)榉答侂娮锜o窮大（與電阻反饋相反），并且輸入FET柵極上的電容不會(huì)因結(jié)型晶體管（與TRP一樣）的集電極對(duì)地電容的增加而增加。高反饋電阻和低電容是降低噪聲性能的關(guān)鍵。

A250系列ORTEC電阻反饋前置放大器僅需1瓦功率。這使得前置放大器非常適用于要求苛刻的便攜式應(yīng)用（如安全保障）。晶體管復(fù)位前置放大器（“附加”選件）需要約1.8瓦的功率。

如果系統(tǒng)在偏壓開啟的情況下預(yù)熱，則自動(dòng)HV關(guān)閉功能可保護(hù)輸入FET和關(guān)鍵輻射探測(cè)器表面。ORTEC使用安裝座上的熱敏電阻而不是輻射探測(cè)器元件本身來感測(cè)預(yù)熱的開始。

除非在訂購時(shí)另行指定，否則每個(gè)ORTEC輻射探測(cè)器都配有帶單獨(dú)直插式連接器的3英尺長電纜束：

• 信號(hào)輸出93-ΩBNC
• 定時(shí)輸出93-ΩBNC
• 測(cè)試輸入93-ΩBNC
• 高壓輸入75-Ω公頭
• 前置放大器電源9針D母頭

提供各導(dǎo)線的10英尺長配套電纜包，用于連接到支持電子系統(tǒng)。

SMART-1是GEM、GMX、GLP、SGD和Profile系列輻射探測(cè)器的選件。該選件將微處理器控制的模塊與輻射探測(cè)器組件集成在一起。該模塊通過MCA的RS-232鏈路控制，為輻射探測(cè)器元件提供HV偏壓，并提供以下輻射探測(cè)器功能的狀態(tài)信息：

• 前置放大器±12、±24 V
• 探測(cè)器元件溫度
• 探測(cè)器高壓開/關(guān)/設(shè)置/讀取
• 探測(cè)器過載狀態(tài)
• 探測(cè)器關(guān)閉狀態(tài)
• 探測(cè)器序列號(hào)（只讀）
• 探測(cè)器驗(yàn)證碼（讀/寫）